- Numero di parte
- HN1B01FU-Y,LXHF
- fabbricante
- Toshiba
- categorie
- Bipolar Transistors - BJT
- RoHS
- Scheda dati
- Descrizione
- Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-400 SOT-363 (US6)
HN1B01FU-Y,LXHF
Le immagini sono solo di riferimento
specificazioni
- fabbricante
- Toshiba
- categorie
- Bipolar Transistors - BJT
- Collector- Base Voltage VCBO
- 60 V
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 50 V
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 0.1 V
- Configuration
- Dual
- Emitter- Base Voltage VEBO
- 5 V
- Gain Bandwidth Product fT
- 120 MHz, 150 MHz
- Maximum Operating Temperature
- + 125 C
- Mounting Style
- SMD/SMT
- Package / Case
- US-6
- Packaging
- Cut Tape, MouseReel, Reel
- Pd - Power Dissipation
- 200 mW
- Qualification
- AEC-Q200
- Transistor Polarity
- NPN, PNP
Categoria di Porduct
Circuit Protection
162,445 Prodotti
Connectors
2,428,639 Prodotti
Electromechanical
556,105 Prodotti
Embedded Solutions
41,129 Prodotti
Enclosures
20,894 Prodotti
Engineering Development Tools
42,996 Prodotti
Industrial Automation
558,346 Prodotti
LED Lighting
77,795 Prodotti
Optoelectronics
109,177 Prodotti
Passive Components
2,996,719 Prodotti
Power
323,117 Prodotti
Semiconductors
567,247 Prodotti
Sensors
70,154 Prodotti
Test & Measurement
23,394 Prodotti
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