- Numero di parte
- TP65H050G4WS
- fabbricante
- Transphorm
- categorie
- MOSFET
- RoHS
- Scheda dati
- Descrizione
- MOSFET GAN FET 650V 34A TO247
TP65H050G4WS
Le immagini sono solo di riferimento
specificazioni
- fabbricante
- Transphorm
- categorie
- MOSFET
- Channel Mode
- Enhancement
- Id - Continuous Drain Current
- 34 A
- Maximum Operating Temperature
- + 150 C
- Minimum Operating Temperature
- - 55 C
- Mounting Style
- SMD/SMT
- Number of Channels
- 1 Channel
- Package / Case
- TO-247-3
- Packaging
- Bulk
- Pd - Power Dissipation
- 119 W
- Qg - Gate Charge
- 24 nC
- Rds On - Drain-Source Resistance
- 60 mOhms
- Technology
- SI
- Transistor Polarity
- P-Channel
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
- 650 V
- Vgs - Gate-Source Voltage
- - 20 V, + 20 V
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
- 4.8 V
Categoria di Porduct
Circuit Protection
162,445 Prodotti
Connectors
2,428,639 Prodotti
Electromechanical
556,105 Prodotti
Embedded Solutions
41,129 Prodotti
Enclosures
20,894 Prodotti
Engineering Development Tools
42,996 Prodotti
Industrial Automation
558,346 Prodotti
LED Lighting
77,795 Prodotti
Optoelectronics
109,177 Prodotti
Passive Components
2,996,719 Prodotti
Power
323,117 Prodotti
Semiconductors
567,247 Prodotti
Sensors
70,154 Prodotti
Test & Measurement
23,394 Prodotti
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TP65H050G4WS Notizie
03/14/2023
03/13/2023
03/09/2023
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