- Numero di parte
- GES6016 TIN/LEAD
- fabbricante
- Central Semiconductor
- categorie
- Bipolar Transistors - BJT
- RoHS
- Scheda dati
- Descrizione
- Bipolar Transistors - BJT 70Vcbo 70Vces 60Vceo 5.0Vebo 625mW
GES6016 TIN/LEAD
Le immagini sono solo di riferimento
specificazioni
- fabbricante
- Central Semiconductor
- categorie
- Bipolar Transistors - BJT
- Collector- Base Voltage VCBO
- 70 V
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 60 V
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 0.5 V
- Configuration
- Single
- Emitter- Base Voltage VEBO
- 5 V
- Gain Bandwidth Product fT
- 425 MHz
- Maximum DC Collector Current
- 1.5 A
- Maximum Operating Temperature
- + 150 C
- Minimum Operating Temperature
- - 65 C
- Mounting Style
- Through Hole
- Package / Case
- TO-92-3
- Packaging
- Bulk
- Pd - Power Dissipation
- 1 W
- Series
- GES60
- Transistor Polarity
- NPN
Categoria di Porduct
Circuit Protection
162,445 Prodotti
Connectors
2,428,639 Prodotti
Electromechanical
556,105 Prodotti
Embedded Solutions
41,129 Prodotti
Enclosures
20,894 Prodotti
Engineering Development Tools
42,996 Prodotti
Industrial Automation
558,346 Prodotti
LED Lighting
77,795 Prodotti
Optoelectronics
109,177 Prodotti
Passive Components
2,996,719 Prodotti
Power
323,117 Prodotti
Semiconductors
567,247 Prodotti
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Test & Measurement
23,394 Prodotti
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